RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
50
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
3162
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link