RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
50
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3162
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link