RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
50
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3162
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link