RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link