RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link