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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
60
Autour de -54% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2089
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
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