RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
64
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
64
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2194
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link