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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
60
Autour de -62% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3170
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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