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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
60
Autour de -122% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3492
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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