RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
60
Autour de -88% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3103
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link