RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
60
Autour de -82% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3155
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link