RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
60
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
18.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
4164
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Mushkin 996902 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link