RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
60
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3460
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link