RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
60
Autour de -233% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
21.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3286
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Jinyu 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link