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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3140
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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