RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
60
Autour de -33% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
45
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3027
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link