Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 13.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    2,168.2 left arrow 10.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 60
    Autour de -114% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 5300
    Autour de 3.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    60 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,595.2 left arrow 13.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,168.2 left arrow 10.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    941 left arrow 2354
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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