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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
60
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.4
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
1956
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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