RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
60
Autour de -46% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
41
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2847
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link