RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2640
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link