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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
60
Autour de -131% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
5300
Autour de 4.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
23400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3617
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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