RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
60
Autour de -107% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2950
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link