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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kllisre DDR4-8GB 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
60
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
46
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2311
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Kllisre DDR4-8GB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
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