RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
60
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
51
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2387
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link