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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
60
Autour de -88% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2854
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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