RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
62
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
62
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
1808
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link