RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
58
60
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.2
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
58
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
9.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2108
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link