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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2642
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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