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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
65
Autour de -81% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3192
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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