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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
65
左右 -81% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
36
读取速度,GB/s
4,806.8
14.5
写入速度,GB/s
2,784.6
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3192
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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