RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3914
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link