RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2307
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link