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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
65
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,784.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
32
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2307
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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