RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3527
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link