RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3527
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link