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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
65
Autour de -110% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2837
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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