Comparaison de la RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Note globale

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 65

Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.4 2,784.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

932 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns