Confronto tra le RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 65

Intorno -110% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.4 2,784.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 6400

Intorno 3 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

932 2361

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns