RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
65
Autour de -91% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
3616
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link