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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 -91% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
34
读取速度,GB/s
4,806.8
20.5
写入速度,GB/s
2,784.6
16.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3616
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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