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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
56
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
3061
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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