RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
56
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
3252
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link