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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
56
Autour de -47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
2429
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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