Comparaison de la RAM Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Note globale

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 56

Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.2 1,501.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 4200

Autour de 4.57 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

381 2764

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns