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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
56
Autour de -60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
1,501.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,161.0
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,501.2
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
381
2768
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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