RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
77
Autour de -108% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3060
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link