RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link