RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2703
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link