RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3550
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link