RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3215
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link