RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3222
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link