RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
4151
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link